Obálkyknih.cz - Jihočeská vědecká knihovna v Českých Budějovicích

oprava existující anotace, přidání nové anotace

Název:		Electronic properties of semiconductor interfaces
Autor:		Mönch, Winfried
Rok vydání:		c2004.
Identifikátory:		9783540202158

Upravte stávající anotaci nebo vložte anotaci novou.
Anotace:	Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling?s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
	Souhlasím s využitím anotace pro potřeby projektu obálkyknih.cz. Obsah neporušuje autorská práva.(povinné)